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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN6725 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 連接器附件 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | TN6725 |
TN6725A
NPN Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced
from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C
-55 to +150
Operating and Storage Junction Temperature Range
T
J,
T
stg
A
1.2
Collector Current - Continuous
I
C
V
12
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
60
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
50
Collector-Emitter Voltage
V
CES
Units
Value
Parameter
Symbol
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
125
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
°C/W
50
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
W
mW/°C
1
8
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
P
D
TN6725A
Units
Max
Characteristic
Symbol
TN6725A, Rev A
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
T
Discrete Power & Signal
Technologies
C
TO-226
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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