型號: | TP5322K1 |
廠商: | SUPERTEX INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
中文描述: | 120 mA, 220 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
封裝: | SOT-23, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 304K |
代理商: | TP5322K1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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TP5322K1-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
TP5322N8 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
TP5322N8-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
TP5335K1-G | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
TP5335 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-350V,低門限2.4V,P溝道增強型垂直DMOS結構場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TP5322K1-G | 功能描述:MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TP5322N8 | 功能描述:MOSFET MOSFET PCh ENHANCE MODE -220V 12 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TP5322N8-G | 功能描述:MOSFET 220V 12 Ohm 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
TP-53312-3S | 制造商:ACME Electric 功能描述:THREE PHASE, 60 HZ , 480 DELTA PRIMARY VOLTS , 208Y/120 SECONDARY VOLTS, MAY BE |
TP5335 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |