參數(shù)資料
型號： TPS51200DRCTG4
廠商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分類： 模擬信號調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO10
封裝： GREEN, PLASTIC, VSON-10
文件頁數(shù)： 3/35頁
文件大?。?/td> 1131K
代理商： TPS51200DRCTG4
www.ti.com
Output Tolerance Consideration for VTT DIMM Applications
DDR3 240 Pin Socket
TPS51200
10 mF
VO
S
P
D
V
tt
D
Q
V
d
V
tt
V
d
C
A
C
A
V
d
D
Q
UDG-08022
R
S
20 W
V
OUT
V
IN
25 W
V
TT
V
DDQ
Ouput
Buffer
(Driver)
Receiver
V
SS
UDG-08023
Q1
Q2
SLUS812 – FEBRUARY 2008
The TPS51200 is specifically designed to power up the memory termination rail (as shown in Figure 3). The DDR
memory termination structure determines the main characteristics of the VTT rail, which is to be able to sink and
source current while maintaining acceptable VTT tolerance. See Figure 4 for typical characteristics for a single
memory cell.
Figure 3. Typical Application Diagram for DDR3 VTT DIMM using TPS51200
Figure 4. DDR Physical Signal System Bi-Directional SSTL Signaling
In Figure 4, when Q1 is on and Q2 is off:
Current flows from VDDQ via the termination resistor to VTT
VTT sinks current
In Figure 4, when Q2 is on and Q1 is off:
Current flows from VTT via the termination resistor to GND
VTT sources current
Copyright 2008, Texas Instruments Incorporated
11
Product Folder Link(s): TPS51200
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PDF描述
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