參數(shù)資料
型號(hào)： TS861IN
元件分類(lèi)： 比較器
英文描述： VOLT COMPARATOR|SINGLE|BICMOS|DIP|8PIN|PLASTIC
中文描述： 電壓比較器|單| BICMOS工藝|雙酯| 8引腳|塑料
文件頁(yè)數(shù)： 4/15頁(yè)
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代理商： TS861IN
TS861-TS862-TS864
4/15
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= +5V
T
amb
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
io
Input Offset Voltage
TS861/2/4
Tmin<T<Tmax
TS861/2/4A
Tmin<T<Tmax
3
3
15
18
7
10
mV
V
io
Input Offset Voltage Drift
6
μ
V/
°
C
I
io
Input Offset Current
1)
Tmin<T<Tmax
1. Maximum values including unavoidable inaccurates of the industrial test..
2. Design evaluation
3. Limits are 100% production tested at 25
°
C. Limits over temperature are guaranteed through correlation and by design
1
150
300
pA
I
ib
Input Bias Current
1)
Tmin<T<Tmax
1
300
600
pA
V
OH
High Level Output Voltage
Isource=5mA
Tmin<T<Tmax
4.6
4.45
4.8
V
V
OL
Low Level Output Voltage
Isink=5mA
Tmin<T<Tmax
0.2
0.4
0.55
V
A
vd
Large Signal Voltage Gain
2)
240
dB
CMR
Common Mode Rejection Ratio
0 < V
ICM
< 5V
70
dB
SVR
Supply Voltage Rejection Ratio
2.7 < Vcc < 10V
80
dB
I
CC
Supply current per comparator
no load, output low
no load, output high
6
8
12
14
μ
A
Tplh
Propagation delay from output low to output high
V
ICM
=2.5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
2
0.5
μ
s
Tphl
Propagation delay from output high to output low
V
ICM
=2.5V, f=10kHz, C
L
=50pF
overdrive = 10mV
overdrive = 100mV
2
0.4
μ
s
Tf
Fall time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
Tr
Rise time
f=10kHz, C
L
=50pF, overdrive=100mV
20
ns
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PDF描述
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TS864AIN VOLT COMPARATOR|QUAD|BICMOS|DIP|14PIN|PLASTIC
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