參數(shù)資料
型號(hào): TSC87251G2D-24IB
廠商: ATMEL CORP
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: B/16-BIT MICROCONTROLLER WITH SERIAL COMMUNICATION INTERFACES
中文描述: 16-BIT, OTPROM, 24 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC44
封裝: PLASTIC, LCC-44
文件頁(yè)數(shù): 17/28頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商: TSC87251G2D-24IB
Qualpack TSC87251G2D
Rev. 0 – October 1999
17
Poly non overlaping the Field oxide on Tox/P- and Tox/N-:
The DO is found to be 0.9def/cm2. This result is in agreement with the goal for D0 of 1 def/cm2
.
0
0,02
0,04
0,06
-0,05
-0,04
-0,03
-0,02
-0,01
0
Area in cm2
L
INC P-
INC N-
Poisson
Qbd < 0.1Cb/cm2
CAPA WITH POLY NON OVERLAPING THE FIELD OXIDE
DO=0.9 def/cm2
Intrinsic defects
:
The graph here after represents the percentage of failure for a Qbd > 10 Cb/cm2 vs the area. The worst
case given by the bigest capacitors shows that 67% of the total distribution has a Qbd > 10 Cb/cm2. This
result guarantees a good reliability behaviour. The critical charge, supported by thin oxide and related to
the extrinsic defects, is measured on TOX/P- capacitors of 42570um2 and TOX/N- capacitors of
85140um2. Following are the average results obtained on recent lots from a distribution of about 60 sites
per wafer. The minimum specification limit is 10C/cm2.
0
0,02
0,04
0,06
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
Area in cm2
Y
DEC P-
DEC N-
INC P-
INC N-
Qbd > 10 Cb/cm2
SCMOS3 PROCESS
Conclusion:
The QBD results demonstrate high reliability level of SCMOS3 thin oxide.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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TSC87251G2D-24IJ 功能描述:IC 8051 MCU 8BIT OTP 32K 40CDIL RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C,LIN,SPI,UART/USART,USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位,POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB(4K x 16) 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 包裝:帶卷 (TR)
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