參數(shù)資料
型號(hào)： TSC87251G2D-24IJ
廠商： Atmel
文件頁(yè)數(shù)： 63/77頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC 8051 MCU 8BIT OTP 32K 40CDIL
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 25
系列： 8x251
核心處理器： C251
芯體尺寸： 8/16-位
速度： 24MHz
連通性： EBI/EMI，I²C，Microwire，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 32
程序存儲(chǔ)器容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： OTP
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 4.5 V ~ 5.5 V
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-CDIL
包裝： 管件
66
AT/TSC8x251G2D
4135F–8051–11/06
Maximum Total IOL for all:Output Pins71 mA
If IOL exceeds the test conditions, VOL may exceed the related specification. Pins are not guaranteed to sink current greater than the listed test
conditions.
2. Capacitive loading on Ports 0 and 2 may cause spurious noise pulses above 0.4 V on the low-level outputs of ALE and Ports
1, 2, and 3. The noise is due to external bus capacitance discharging into the Port 0 and Port 2 pins when these pins change
from high to low. In applications where capacitive loading exceeds 100 pF, the noise pulses on these signals may exceed
0.8 V. It may be desirable to qualify ALE or other signals with a Schmitt Trigger or CMOS-level input logic.
3. Capacitive loading on Ports 0 and 2 causes the VOH on ALE and PSEN# to drop below the specification when the address
lines are stabilizing.
4. Typical values are obtained using VDD = 3 V and TA = 25°C. They are not tested and there is not guarantee on these values.
5. The input threshold voltage of SCL and SDA meets the TWI specification, so an input voltage below 0.3VDD will be recog-
nized as a logic 0 while an input voltage above 0.7VDD will be recognized as a logic 1.
Figure 29.
IDD/IDL Versus XTAL Frequency; VDD = 2.7 to 3.6 V
Note:
1.The clock prescaler is not used: FOSC = FXTAL.
I
DD, IDL and IPD Test Conditions
Figure 30.
IDD Test Condition, Active Mode
max Active mode (mA)
typ Active mode (mA)
max Idle mode (mA)
typ Idle mode (mA)
15
10
5
0
IDD/IDL
(mA
)
Frequency at XTAL(1) (MHz)
24
68
14
10
12
16
VDD
XTAL2
VDD
Clock Signal
RST
VSS
TSC80251G2D
EA#
XTAL1
VDD
P0
(NC)
IDD
VDD
All other pins are unconnected
相關(guān)PDF資料
PDF描述
202759-4 PIN MODULE 14 POS G-SERIES
213684-2 CONN PLUG 34POS W/CABLE HARDWARE
TSC87251G2D-24IC IC 8051 MCU 8BIT OTP 32K 44CQPJ
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參數(shù)描述
TSC87251G2D-L16CB 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件
TSC87251G2D-L16CBR 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
TSC87251G2D-L16CE 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:9 系列:87C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:40/20MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:POR，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包裝:管件
TSC87251G2D-L16CER 功能描述:IC MCU 8BIT 32K OTP 16MHZ 44VQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:8x251 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 系列:AVR® ATtiny 核心處理器:AVR 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:I²C，LIN，SPI，UART/USART，USI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):16 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（4K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:512 x 8 RAM 容量:512 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 11x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 包裝:帶卷 (TR)
TSC873CT A3 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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