參數(shù)資料
型號： TSM2301B
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 20V P-Channel MOSFET
中文描述： 20V的P通道MOSFET
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 312K
代理商： TSM2301B
TSM2313
20V P-Channel MOSFET
Electrical Specifications
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
2/6
Version: A07
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current
a
V
GS
= 0V, I
D
= -250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
DS
=-5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4.5V, I
D
= -3.3A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -2.0A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -1.0A
V
DS
= -10V, I
D
= -4.7A
I
S
= -1.7A, V
GS
= 0V
BV
DSS
V
GS(TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(ON)
-20
-0.6
--
--
-15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
70
120
11
-0.8
--
V
V
nA
μ
A
A
-1.4
±100
-1.0
--
70
90
130
--
-1.2
Drain-Source On-State Resistance
a
R
DS(ON)
m
Ω
Forward Transconductance
a
Diode Forward Voltage
Dynamic
b
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Switching
c
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Notes:
a. pulse test: PW
≤
300
μ
S, duty cycle
≤
2%
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
b. Switching time is essentially independent of operating temperature.
g
fs
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
iss
C
oss
C
rss
--
--
--
--
--
--
6
1.4
1.9
640
180
90
9
--
--
--
--
--
V
DS
= -10V, I
D
= -4.7A,
V
GS
= -4.5V
nC
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
--
--
--
--
22
35
45
25
35
55
70
50
V
DD
= -10V, R
L
= 10
Ω
,
I
D
= -1A, V
GEN
= -4.5V,
R
G
= 6
Ω
nS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2301BCXRF 20V P-Channel MOSFET
TSM2313 20V P-Channel MOSFET
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TSM2301CX 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
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