參數(shù)資料
型號(hào)： TSM2N7002
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 60V的N溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： TSM2N7002
TSM2N7002ED
3-5
2004/12 rev. B
Typical Characteristics Curve - Single Channel
(Ta = 25
o
C unless otherwise noted)
Gate to source voltage (V)
Drain to source voltage (V)
Drain current (A)
Junction temperature (
o
C)
G
C
D
)
D
Drain to source voltage (V)
D
Junction temperature (
o
C)
D
Output Characteristic
Transfer Characteristics
Rds(on) Variation with Drain Current
Capacitance
Vds breakdown with Temperature
Vgs(th) with Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N7002ED 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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TSM3400CX 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
TSM2N7002CX 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002CX RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
TSM2N7002ECU 功能描述:MOSFET 60V 0.25A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7002ECU RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOT-323;60V 0.2AMP N CHANEL MO
TSM2N7002ECU6 功能描述:MOSFET 60V 0.25A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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