- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄199497 > TT101F12KFB-K 200 A, 1200 V, SCR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | TT101F12KFB-K |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 200 A, 1200 V, SCR |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | TT101F12KFB-K |
TT 101 F
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
[A]
iT
t [s]
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
40
PTT + PT [kW]
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaverlust-
leistung (PTT + PT) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (PTT + PT).
TT 101 F1/13
40 6 0
100
200
400 600
1
2
4
6
1 0
[A]
T M
i
s
t p
ms
30
40
100
200
400
600
1000
3000
W tot [Ws]
60 2
mWs
4
6
mWs
0,01
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
TT 101 F2/14
10000
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wtot für einen sinusfrmigen
Durchla-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy Wtot for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
RC-Glied/RC network:
R
[] ≥≥ 0,02 . vDM [V]
C
≤≤
0,15F
Steuergenerator/Pulse generator:
iG = 0,6 A, ta = 1s
Lastkreis/load circuit:
vDM
≤
0,67 VDRM
vRM
≤
50 V
dvR/dt ≤ 100 V/s
R
C
tp
t
iTM
i T
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
30
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[V]
vG
0,8
8
a
b
c
T 72 F15 / T102 F/15
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei vD = 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at vD = 6V.
Parameter:
a
b
c
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration tg
[ms]
10
1
0,5
__________________________________________________________
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power
[W]
20
40
60
__________________________________________________________
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
iG
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[s]
tgd
a
b
T 72 F16 / T 102 F/16
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time tgd,
DIN 41787, ta = 1 s, tvj = 25°C.
a - auerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
0
200
150
100
50
[As]
Qr
- diT/dt [A/s]
10 A
20 A
50 A
100 A
200 A
iTM = 500 A
100
200
300
400
500
600
TT 101 F 08...14
Bild / Fig. 17
Sperrverzgerungsladung Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlastrom ITM /
Recovert charge Qr = f(di/dt)
tvj = tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: on-state current ITM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TT101F13KFB-K | 200 A, 1300 V, SCR |
| TT101F08KFC-K | 200 A, 800 V, SCR |
| TT101F08KFL-K | 200 A, 800 V, SCR |
| TD101F10KFM-A | 200 A, 1000 V, SCR |
| TD101F10KFC-A | 200 A, 1000 V, SCR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TT101F12KFC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT101F12KSC | 功能描述:分立半導體模塊 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT101F13KFC | 功能描述:分立半導體模塊 1300V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT101F14KEC | 功能描述:分立半導體模塊 1400V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| TT101F14KFC | 功能描述:分立半導體模塊 1400V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。