參數(shù)資料
型號： TT215N
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 396K
代理商： TT215N
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT215N
BIP AC / MA2-BE / 22 Nov 1994, A.Rüther
A69 /94
1/12
Seite/page
Kenndaten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TT215N
TD215N
DT215N
TT215N...-A
TD215N...-K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1800
2200
2000
2400
V
1)
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
DSM
1800
2200
2000
2400
V
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1900
2300
2100
2500
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
410 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
T
C
= 73°C
I
TAVM
215
261
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
7000
6300
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
I2t
245000
198000
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(di
T
/dt)
cr
100 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter C
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
500
1000
V/μs
V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 800 A
v
T
max.
1,8 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,95 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,92 m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
200 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
≥
10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs, t
g
= 20 μs
I
L
max.
1200 mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
50 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
t
gd
max.
4 μs
1) 2400V auf Anfrage; 2400V on request
prepared by: C.Drilling
date of publication:
11.12.02
approved by: J. Novotny
revision:
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TT240N28KOC THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.8KV V(RRM)|445A I(T)
TT240N28KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.8KV V(RRM)|445A I(T)
TT240N30KOC THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|3KV V(RRM)|445A I(T)
TT240N30KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|3KV V(RRM)|445A I(T)
TT240N32KOC THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|3.2KV V(RRM)|445A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TT215N18KOF 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1800V 410A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT215N19KOF 制造商:n/a 功能描述:Power Module
TT215N20KOF 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 2000V 410A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT215N20KOF-A 功能描述:SCR PCT 2000V 215A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TT215N21KOF 制造商:n/a 功能描述:Power Module
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