參數(shù)資料
型號： TT330N14KOF
英文描述： THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.4KV V(RRM)|330A I(T)
中文描述： 晶閘管模塊|可控硅倍增| 1.4KV五（無線資源管理）| 330A我（翻譯）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 84K
代理商： TT330N14KOF
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modu
Phase Control Thyristor Module
TT 330 N 12...16
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1200, 1400
V
V
1600
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DSM
1200, 1400
V
V
1600
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
1300, 1500
V
V
1700
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
I
TRMSM
520
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85°C
I
TAVM
330
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
9100
8000
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I2t
414000
320000
A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/μs
(di
T
/dt)
cr
250
A/μs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000
V/μs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 800A
v
T
max.
1,44
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,8
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,6
m
Zündstrom
gate trigger current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
I
GT
max.
200
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,0
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
mA
mA
5
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,2
V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5
I
H
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
≥
=
10
i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/μs, t
G
= 20μs
I
L
max.
1200
mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
70
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 1A, di
G
/dt = 1A/μs
t
gd
max.
3,0
μs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 350A
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/μs, -di
T
/dt = 10A/μs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
t
q
typ.
250
μs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
MOD-E1; R. Jrke
02. Dez 99
A /99
Seite/page 1(8)
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PDF描述
TT330N16KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.6KV V(RRM)|330A I(T)
TT375N SCR / Diode Modules
TT380N SCR / Diode Modules
TT400N SCR / Diode Modules
TT400N26KOF THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|2.6KV V(RRM)|510A I(T)
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TT34B 功能描述:電話連接器 3C BANTAM JACK RoHS:否 制造商:Switchcraft 標準:1/4 in 開關(guān)配置:Switched 型式:Female 位置/觸點數(shù)量: 端接類型:Solder 安裝風格:Chassis (Panel) 方向:
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