參數(shù)資料
型號(hào)： TT46F
英文描述： SCR / Diode Modules
中文描述： SCR /二極管模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： TT46F
TT 46 F 08...13
Elektrische Eigenschaften
Hchstzulssige Werte
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspann.
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltage
t
vj
= - t
c op
...t
vj max
V
DRM
,
V
RRM
V
DSM
800, 1000, 1100
1200, 1300
800, 1000, 1100
1200, 1300
900, 1100, 1200
1300, 1400
V
1)
t
vj
= - t
c op
...t
vj max
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
RSM
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
I
TRMSM
I
TAVM
120
45
76
1300
1150
8450
6600
120
A
A
A
A
A
t
c
= 85°C
t
c
= 48°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
DIN IEC 747-6, f = 50 Hz, v
L
= 10 V
I
GM
= 0,75 A, di
G
/dt = 0,75 A/μs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
Stostrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
Grenzlastintegral
I
2
t-value
I
2
t
A
2
s
A
2
s
A/μs
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state
current
critical rate of rise of off-state
voltage
(di
T
/dt)
cr
Kritische Spannungssteilheit
(dv
D
/dt)
cr
2) 3)
50 50
500 500 V/μs
500 50 V/μs
1000 500 V/μs
V/μs
Charakteristische Werte
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 230 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V, R
A
= 5
t
vj
= 25 °C,v
D
= 12 V, R
GK
> = 20
i
GM
= 0,75 A, di
G
/dt = 0,75 A/μs, t
g
= 20
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 0,75 A, di
G
/dt = 0,75 A/μs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
-di
T
/dt = 20 A/μs
5.Kennbuchstabe/5th letter C
5.Kennbuchstabe/5th letter D
5.Kennbuchstabe/5th letter E
5.Kennbuchstabe/5th letter F
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
max. 2,20
V
V
1,30
3,4
m
mA
max. 150
max. 1,4
max. 5
max. 2,5
max. 0,2
max. 250
max. 1000
V
mA
mA
Nicht zündende Steuerspann.
Haltestrom
Einraststrom
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
V
GD
I
H
I
L
V
mA
mA
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
i
D
, i
R
max. 25
mA
Zündverzug
t
gd
max. 1,4
μs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off
time
t
q
max. 12
max. 15
max. 20
max. 25
μs
μs
μs
μs
kV
Isolations-Prüfspannung
Thermische Eigenschaften
Innerer Wrmewiderstand
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
V
ISOL
2,5
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin
pro Zweig/per arm,
Θ
=180° sin
pro Modul/per module, DC
pro Zweig/per arm, DC
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
R
thJC
max. 0,26 °C/W
max. 0,52 °C/W
max. 0,25 °C/W
max. 0,50 °C/W
max. 0,08 °C/W
max. 0,16 °C/W
125
-40...+125
-40...+130
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to
heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
R
thCK
Hchstzul.Sperrschichttemp.
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
t
vj max
t
c op
t
stg
°C
°C
°C
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
AlN
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
4
4
Nm
Nm
typ. 180
12,5
g
mm
m/s2
f = 50 Hz
50
1)
1300V auf Anfrage / 1300V on demand
2)
Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorrausgehende Kommutierung). / Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
3)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Mebedingungen für t
q
. / Immediatly after circuit commutated turn-off time, see parameters t
q
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TT4801-01 TIMER DELAY ON ENERGISE 230VAC
TT4801-02 TIMER DELAY ON ENERGISE 115VAC
TT4802-01 TIMER DELAY ON DE-ENERGISE 230VAC
TT4802-02 TIMER DELAY ON DE-ENERGISE 115VAC
TT50F08KDB-A THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CA|800V V(RRM)|50A I(T)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TT46F06KGF 功能描述:SCR模塊 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT46F08KDC 功能描述:SCR模塊 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT46F08KFC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 800V 120A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
TT46F10KDC 功能描述:SCR模塊 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
TT46F10KFC 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1000V 120A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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