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參數(shù)資料
| 型號： | TXDV612 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 三端雙向可控硅開關 |
| 英文描述： | ALTERNISTORS |
| 中文描述： | 交變 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | TXDV612 |
GATE CHARACTERISTICS
(maximum values)
PG (AV) = 1W PGM = 10W (tp = 20
μ
s) IGM = 4A (tp = 20
μ
s) VGM = 16V (tp = 20
μ
s).
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth (j-a)
Junction to ambient
60
°
C/W
Rth (j-c) DC Junction to case for DC
2.5
°
C/W
Rth (j-c) AC
Junction to case for 360
°
conduction angle ( F= 50 Hz)
1.9
°
C/W
Symbol
Test Conditions
Quadrant
Value
Unit
IGT
VD=12V (DC) RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
100
mA
VGT
VD=12V (DC) RL=33
Tj=25
°
C
I-II-III
MAX
1.5
V
VGD
VD=VDRM RL=3.3k
Tj=110
°
C
I-II-III
MIN
0.2
V
tgt
VD=VDRM IG = 500mA
dIG/dt = 3A/
μ
s
Tj=25
°
C
I-II-III
TYP
2.5
μ
s
IL
IG=1.2 IGT
Tj=25
°
C
I-III
TYP
100
mA
II
200
IH *
IT= 500mA gate open
Tj=25
°
C
MAX
100
mA
VTM *
ITM= 17A tp= 380
μ
s
Tj=25
°
C
MAX
1.95
V
IDRM
IRRM
VDRM Rated
VRRM Rated
Tj=25
°
C
MAX
0.01
mA
Tj=110
°
C
MAX
2
dV/dt *
Linear slope up to VD=67%VDRM
gate open
Tj=110
°
C
MIN
500
V/
μ
s
(dI/dt)c *
(dV/dt)c = 200V/
μ
s
Tj=110
°
C
MIN
10
A/ms
(dV/dt)c = 10V/
μ
s
42.5
* For either polarity of electrode A
2
voltage with reference to electrode A
1
.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL RESISTANCES
TXDV 412 ---> 812
2/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| TXHOP2 | Quad low capacitance Transil™ array for ESD protection |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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