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參數資料
| 型號： | TZS4700 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, GLASS, QUADROMELF-2 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | TZS4700 |
TZS4678 to TZS4717
Vishay Semiconductors
Document Number 85613
Rev. 1.6, 15-Sep-10
www.vishay.com
3
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Typical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Figure 1. Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 2. Typical Change of Working Voltage under Operating
Conditions at Tamb=25°C
Figure 3. Typical Change of Working Voltage vs.
Junction Temperature
0
120
160
0
100
300
400
500
600
P
tot
-
Total
Po
w
er
Dissipation
(m
W
)
T
amb - Ambient Temperature (°C)
200
95 9602
200
80
40
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
-
V
oltage
Change
(m
V
)
VZ - Z-Voltage (V)
25
95 9598
T
j = 25 °C
I
Z = 5 mA
0
5
- 60
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Ztn
-
Relative
Voltage
Change
Tj - Junction Temperature (°C)
240
95 9599
0
VZtn = VZt/VZ (25 °C)
0
TKVZ = 10 x 10-4/K
8 x 10-4/K
2 x 10-4/K
6 x 10-4/K
4 x 10-4/K
- 4 x 10-4/K
- 2 x 10-4/K
Figure 4. Temperature Coefficient of Vz vs. Z-Voltage
Figure 5. Diode Capacitance vs. Z-Voltage
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
- 5
0
5
10
15
VZ - Z-Voltage (V)
95 9600
I
Z = 5 mA
0
10
203040
50
TK
V
Z
-
Temperat
u
re
Coefficient
of
V
Z
(10
-4
/K)
10
15
0
50
100
150
200
C
D
-
Diode
Capacitance
(pF)
VZ - Z-Voltage (V)
25
95 9601
20
T
j = 25 °C
V
R = 2 V
0
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I F
-
For
w
ard
C
u
rrent
(mA)
VF - Forward Voltage (V)
T
j = 25 °C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| U2-016 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 7A, 28VDC, 1.27mm, PANEL MOUNT |
| U632H16SK25G1 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM, 25 ns, PDSO28 |
| U811SY4ZGE | PUSHBUTTON SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 1A, 28VDC, PANEL MOUNT |
| U86-D2-1121 | 4 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, PRESS FIT |
| U86-D2-1421 | 4 CONTACT(S), FEMALE, RIGHT ANGLE TELECOM AND DATACOM CONNECTOR, PRESS FIT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TZS4700-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 13 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZS4701 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4701-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 14 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| TZS4702 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| TZS4702-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 15 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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