參數(shù)資料
型號： UC2855BDWTR
英文描述： OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： 功率因數(shù)控制器
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 265K
代理商： UC2855BDWTR
MECHANICAL DATA
MSOT008B – JANUARY 1995 – REVISED SEPTEMBER 2000
1
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
KC (R-PSFM-T5)
PLASTIC FLANGE-MOUNT
4040208/E 09/00
0.420 (10,67)
0.380 (9,65)
0.185 (4,70)
0.175 (4,46)
0.055 (1,40)
0.045 (1,14)
0.147 (3,73)
0.137 (3,48)
0.340 (8,64)
0.330 (8,38)
1.037 (26,34)
0.997 (25,32)
0.040 (1,02)
0.030 (0,76)
0.113 (2,87)
0.103 (2,62)
0.122 (3,10)
0.102 (2,59)
0.025 (0,64)
0.012 (0,30)
0.146 (3,71)
0.156 (3,96)
DIA
(see Note C)
0.125 (3,18)
0.067 (1,70)
0.268 (6,81)
5
1
M
0.010 (0,25)
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters).
B. This drawing is subject to change without notice.
C. Lead dimensions are not controlled within this area.
D. All lead dimensions apply before solder dip.
E. The center lead is in electrical contact with the mounting tab.
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PDF描述
UC2855BJ OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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UC2855BN Power Factor Controller
UC2855BQ OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
UC2855BQTR OMNIFET II: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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參數(shù)描述
UC2855BDWTR/81363 制造商:Texas Instruments 功能描述:
UC2855BDWTRG4 功能描述:功率因數(shù)校正 IC High Performance Preregulator RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
UC2855BN 功能描述:功率因數(shù)校正 IC High Performance Preregulator RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
UC2855BNG4 功能描述:功率因數(shù)校正 IC High Performance Preregulator RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關(guān)頻率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Reel
UC2856DW 功能描述:電流型 PWM 控制器 Current Mode RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)頻率:27 KHz 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 工作電源電壓:6 V to 15 V 工作電源電流:1.5 mA 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 105 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSSOP-14
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