參數(shù)資料
型號(hào)： ULQ2003
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
中文描述： 達(dá)林頓晶體管陣列
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： ULQ2003
ULQ2003A
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
SLIS072 – DECEMBER 1996
3
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
electrical characteristics over operating junction temperature range, T
J
= – 40
°
C to 105
°
C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
2.7
UNIT
V
See Figure 5
2 V
IC = 200 mA
IC = 250 mA
IC = 300 mA
IC = 100 mA,
VI(on)
On-state input voltage
2.9
V
3
II = 250
μ
A,
See Figure 4
0.9
1.2
VCE(sat)
Collector-emitter saturation voltage
II = 350
μ
A,
See Figure 4
IC = 200 mA,
1
1.4
V
II = 500
μ
A,
See Figure 4
IC = 350 mA,
1.2
1.7
ICEX
Collector cutoff current
VCE = 50 V,
See Figure 1
II = 0,
100
μ
A
VF
Clamp forward voltage
IF = 350 mA,
VCE = 50 V,
See Figure 2
See Figure 7
IC = 500
μ
A,
1.7
2.2
V
II(off)
Off-state input current
30
65
μ
A
II
IR
Ci
Input current
VI = 3.85 V,
VR = 50 V,
VI = 0,
See Figure 3
0.93
1.35
mA
μ
A
pF
Clamp reverse current
See Figure 6
100
Input capacitance
f = 1 MHz
15
25
switching characteristics over operating junction temperature, T
J
= – 40
°
C to 105
°
C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
μ
s
μ
s
tPLH
tPHL
Propagation delay time, low-to-high-level output
See Figure 8
1
10
Propagation delay time, high-to-low-level output
1
10
VOH
High-level output voltage after switching
VS = 50 V,
See Figure 9
IO
≈
300 mA,
VS–500
mV
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 1. I
CEX
Test Circuit
Open
VCE
Open
ICEX
Figure 2. I
I(off)
Test Circuit
Open
VCE
IC
II(off)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UN11020 Circuit Protector Elements
UNH0120 Circuit Protector Elements
UN1231A Silicon NPN epitaxial planer transistor
UN1231 Flash Memory IC; Leaded Process Compatible:Yes; Memory Size:4Mbit; Package/Case:48-TSOP; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Supply Voltage Max:3V; Access Time, Tacc:70ns; Series:S29AL RoHS Compliant: Yes
UN2003AI HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ULQ2003A 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003A 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor Array IC
ULQ2003AD 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003AD 制造商:Texas Instruments 功能描述:TRANS ARRAY DARL SMD SOIC16
ULQ2003ADG4 功能描述:達(dá)林頓晶體管 Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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