參數資料
型號: ULQ2003ATDQ1
廠商: Texas Instruments
文件頁數: 14/17頁
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描述: IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
標準包裝: 40
類型: 達林頓晶體管矩陣
驅動器/接收器數: 7/0
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 16-SOIC N
包裝: 管件
產品目錄頁面: 1010 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 296-14394-5
90%
90%
1.5 V
10%
40 s
≤10 ns
≤5 ns
VIH
(see Note C)
0 V
VOH
VOL
Input
Output
VOLTAGE WAVEFORMS
200 W
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
www.ti.com
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION (continued)
A.
The pulse generator has the following characteristics: PRR = 12.5 kHz, ZO = 50 .
B.
CL includes probe and jig capacitance.
C.
For testing the ULQ2003A, VIH = 3 V; for the ULQ2004A, VIH = 8 V.
Figure 10. Latch-Up Test Circuit and Voltage Waveforms
6
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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ULQ2003ATDRG4Q1 功能描述:達林頓晶體管 Darl Trans Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003ATDRQ1 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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