參數(shù)資料
型號: ULQ2003ATDRQ1
廠商: Texas Instruments
文件頁數(shù): 15/17頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC DARLINGTON TRANS ARRAY 16SOIC
標準包裝: 1
類型: 達林頓晶體管矩陣
驅(qū)動器/接收器數(shù): 7/0
電源電壓: 6 V ~ 15 V
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC N
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1010 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 296-14395-6
0
IC - Collector Current - mA
2.5
800
0
100
200
300
400
500
600
700
0.5
1
1.5
2
II = 350 A
II = 500 A
V
C
E
(s
a
t)
-
C
o
ll
e
c
to
r-E
m
it
te
r
S
a
tu
ra
ti
o
n
V
o
lta
g
e
-
V
C
E
(s
a
t)
TA = 25°C
II = 250 A
2
1.5
1
0.5
700
600
500
400
300
200
100
0
800
2.5
IC(tot) - Total Collector Current - mA
0
V
C
E
(s
a
t)
-
C
o
ll
e
c
to
r-E
m
itt
e
r
S
a
tu
ra
ti
o
n
V
o
lta
g
e
-
V
C
E
(s
a
t)
II = 250 A
II = 350 A
II = 500 A
TA = 25°C
0
II - Input Current - A
500
200
0
25
50
75
100
125
150
175
50
100
150
200
250
300
350
400
450
VS = 10 V
VS = 8 V
IC
-
C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rr
e
n
t
-
m
A
CI
RL = 10
TA = 25°C
0
Duty Cycle - %
600
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200
300
400
500
TA = 70°C
N = Number of Outputs
Conducting Simultaneously
N = 6
N = 7
N = 5
N = 3
N = 2
N = 1
IC
-
M
a
x
im
u
m
C
o
ll
e
c
to
r
C
u
rr
e
n
t
-
m
A
CI
N = 4
www.ti.com
SGLS148D – DECEMBER 2002 – REVISED APRIL 2010
TYPICAL CHARACTERISTICS
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
TOTAL COLLECTOR CURRENT (TWO DARLINGTONS IN
COLLECTOR CURRENT (ONE DARLINGTON)
PARALLEL)
Figure 11.
Figure 12.
D PACKAGE
COLLECTOR CURRENT
MAXIMUM COLLECTOR CURRENT
vs
INPUT CURRENT
DUTY CYCLE
Figure 13.
Figure 14.
Copyright 2002–2010, Texas Instruments Incorporated
7
Product Folder Link(s): ULQ2003A-Q1 ULQ2004A-Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PIC16C56-HSE/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C56-10E/SS IC MCU OTP 1KX12 20SSOP
PIC16C56-10E/SO IC MCU OTP 1KX12 18SOIC
PIC16C56-10E/P IC MCU OTP 1KX12 18DIP
PIC16C55T-XT/SS IC MCU OTP 512X12 28SSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ULQ2003ATDRRB 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATDRYZ 制造商:Texas Instruments 功能描述:
ULQ2003ATPWRQ1 功能描述:達林頓晶體管 Hi-Vltg Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
ULQ2003D1013TR 功能描述:達林頓晶體管 Seven NPN Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel