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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UMA9N |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Digital Transistor (Common Emitter Dual Transistors)(公共發(fā)射級(jí)(雙數(shù)字晶體管)) |
| 中文描述： | 數(shù)字晶體管（共發(fā)射極雙晶體管）（公共發(fā)射級(jí)（雙數(shù)字晶體管）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | UMA9N |
UMA9N / FMA9A
Transistors
Digital transistor
(Common Emitter Dual Transistors)
UMA9N / FMA9N
!
Features
1) Two DTA114E chips in UMT and
SMT packages.
2) Mounting cost and area can be cut
in half.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
(Built-in resistor type)
The following characteristics apply to
both DTr
1
and DTr
2
.
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : UMT5
ROHM : SMT5
UMA9N
2.0±0.2
FMA9A
2.9±0.2
0.05
+0.1
0
2
±
0
1
±
0
0~0.1
0.15±0.05
0.2
0.9±0.1
0.7
1.3±0.1
0.65
0.65
(3)
(2)
(4)
(5)
(1)
(1)
(2)
0.3
+0.1
0.05
1
2
0
(5)
(4)
(3)
0.95 0.95
1.9±0.2
1.1 +0.2
0.1
0.8±0.1
0~0.1
0
0.15
0.06
+0.1
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
R
1
DTr
1
DTr
2
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
R
1
= 10k
R
2
= 10k
R
1
= 10k
R
2
= 10k
R
2
R
2
R
2
R
2
Abbreviated symbol: A10
All terminals have same
All terminals have same
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CC
50
V
V
IN
40
V
10
I
O
50
100
mA
Tj
150
°
C
Tstg
50~+150
°
C
Pd
UMA9N
150 (TOTAL)
mW
FMA9A
300 (TOTAL)
*
1
*
2
Supply voltage
Input voltage
Output current
Junction temperature
Storage temperature
*
1 120mW per element must not be exceeded.
*
2 200mW per element must not be exceeded.
Power
dissipation
I
C (MAX.)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
I (off)
V
I (on)
V
O (on)
I
I
I
O (off)
R
1
G
I
R
2
/R
1
Min.
3.0
7
30
0.8
10
1
0.5
0.3
0.1
0.88
0.5
13
1.2
V
V
CC
=
5V, I
O
=
100
μ
A
V
O
=
0.3V, I
O
=
10mA
I
O
/I
I
=
10mA /
0.5mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V, V
I
=
0V
I
O
=
5mA, V
O
=
5V
V
mA
μ
A
k
Typ.
Max.
Unit
Conditions
f
T
250
V
CE
=
10mA, I
E
=
5mA, f
=
100MHZ
MHz
*
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
Input resistance
DC current gain
Transition frequency
Resistance ratio
*
Transition frequency of the device
相關(guān)PDF資料 |
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參數(shù)描述 |
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| UMA9NTR | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 50MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| UMAC040130A003TA01 | 功能描述:Lithium Battery Rechargeable (Secondary) 2.3V 3mAh 制造商:murata electronics north america 系列:UMA 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 電池化學(xué):鋰 電池尺寸:- 電壓 - 額定:2.3V 容量:3mAh 大小/尺寸:0.16" 直徑 x 0.47" 高（4.0mm x 12.0mm） 端子類型:PC 引腳（垂直安裝） 放電率:- 標(biāo)準(zhǔn)充電電流:30mA 標(biāo)準(zhǔn)充電時(shí)間:- 重量:0.29g 發(fā)貨信息:由于可能存在某些限制，運(yùn)輸方式可能有所改變。 最大空運(yùn)重量:8500 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
| UMAF5817 | 功能描述:RECT SCHOTTKY 20V LEAD FREE SMD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| UMAF5818 | 功能描述:RECT SCHOTTKY 30V LEAD FREE SMD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| UMAF5819 | 功能描述:RECT SCHOTTKY 40V LEAD FREE SMD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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