參數(shù)資料
型號: UMB6
元件分類: 基準(zhǔn)電壓源/電流源
英文描述: Very low drop voltage regulators with inhibit
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 30mA的一(c)|蘇
文件頁數(shù): 2/2頁
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代理商: UMB6
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PDF描述
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UMD6 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
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參數(shù)描述
UMB6N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors)
UMB6NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
UMB8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
UMB8N 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors)
UMB8NTR 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel