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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR2114 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 443K |
| 代理商： | UNR2114 |
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Transistors with built-in Resistor
UNR211x Series
(UN211x Series)
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: December 2003
SJH00006CED
For digital circuits
■
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts
Mini type package allowing easy automatic insertion through tape
packing and magazine packing
■
Resistance by Part Number
Marking Symbol (R
1
)
(UN2110)
6L
(UN2111)
6A
(UN2112)
6B
(UN2113)
6C
(UN2114)
6D
(UN2115)
6E
(UN2116)
6F
(UN2117)
6H
(UN2118)
6I
(UN2119)
6K
UNR211D (UN211D)
UNR211E (UN211E)
UNR211F (UN211F)
UNR211H (UN211H)
UNR211L (UN211L)
UNR211M (UN211M)
UNR211N (UN211N)
UNR211T (UN211T)
UNR211V (UN211V)
UNR211Z (UN211Z)
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
UNR2110
UNR2111
UNR2112
UNR2113
UNR2114
UNR2115
UNR2116
UNR2117
UNR2118
UNR2119
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
22 k
2.2 k
4.7 k
6M
6N
6O
6P
6Q
EI
EW
EY
FC
FE
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
B
R
1
R
2
C
E
Internal Connection
Unit: mm
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-59
Mini3-G1 Package
0.40
+0.10
(
1
+
–
2
+
–
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
0.16
+0.10
0
±
0
5
10
0
1
+
–
1
+
–
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
50
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
V
Collector current
mA
Total power dissipation
P
T
200
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR2116 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2117 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211N | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2118 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211D | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR2114(UN2114) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR211400L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80 HFE MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR2115 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2115(UN2115) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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