參數(shù)資料
型號(hào)： UNR2115S
英文描述： TERMINAL SET INTERFACE PROTECTION AND DIODE BRIDGE
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁(yè)數(shù)： 1/18頁(yè)
文件大小： 283K
代理商： UNR2115S
1
Transistors with built-in Resistor
UNR2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z
(UN2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211D/211E/211F/211H/211L/211M/211N/211T/211V/211Z)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I
Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through tape packing and magazine packing.
I
Resistance by Part Number
Marking Symbol
G
UNR2111
6A
G
UNR2112
6B
G
UNR2113
6C
G
UNR2114
6D
G
UNR2115
6E
G
UNR2116
6F
4.7k
G
UNR2117
6H
G
UNR2118
6I
0.51k
G
UNR2119
6K
G
UNR2110
6L
G
UNR211D
6M
G
UNR211E
6N
G
UNR211F
6O
4.7k
G
UNR211H
6P
2.2k
G
UNR211L
6Q
4.7k
G
UNR211M
EI
2.2k
G
UNR211N
EW
4.7k
G
UNR211T
EY
G
UNR211V
FC
2.2k
G
UNR211Z
FE
4.7k
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
10k
4.7k
47k
47k
47k
2.2k
22k
22k
1k
47k
47k
47k
22k
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC-59
Mini Type Package
Unit: mm
Internal Connection
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
–50
V
Collector to emitter voltage
–50
V
Collector current
–100
mA
Total power dissipation
200
mW
Junction temperature
150
C
Storage temperature
–55 to +150
C
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15
0.65
±
0.15
3
1
2
0
0
1
±
0
0
+
–
1
+
–
0
0.4
±
0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
B
C
R1
R2
E
Note) The part number
s
in the parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR2116(UN2116) Constant voltage and constant current controller for battery chargers and adaptors
UNR2116Q 10A SCRS
UNR2116R 6A SCRs
UNR2116S 8A SCRS
UNR2117(UN2117) 12A SCRS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR2116 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR2116(UN2116) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR211600L 功能描述:TRANS PNP W/RES 160 HFE MINI 3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR2116Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
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