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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR2116 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 443K |
| 代理商： | UNR2116 |
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UNR211x Series
3
SJH00006CED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance ratio
UNR211M
R
1
/R
2
0.047
UNR211N
0.1
UNR2118/2119
0.08
0.10
0.12
UNR211Z
0.21
UNR2114
0.17
0.21
0.25
UNR211H
0.17
0.22
0.27
UNR211T
0.47
UNR211F
0.37
0.47
0.57
UNR211V
1.0
UNR2111/2112/2113/211L
0.8
1.0
1.2
UNR211E
1.70
2.14
2.60
UNR211D
3.7
4.7
5.7
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Characteristics charts of UNR2110
0
50
100
150
200
250
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR2117 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211N | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2118 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211D | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR211E | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR2116(UN2116) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR211600L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160 HFE MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR2116Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| UNR2116R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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