參數(shù)資料
型號： UNR212X
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 176K
代理商： UNR212X
UNR212x Series
5
SJH00008CED
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR2124
Characteristics charts of UNR212X
0
0
12
2
10
4
8
6
300
250
200
150
100
50
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10
100
1
000
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
0.1
24
20
16
12
8
4
1
10
100
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
0
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.6 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
1.0 mA
1.2 mA
1.4 mA
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
–25
°
C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
1
000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR212Y Silicon PNP epitaxial planar type
UNR2122 Silicon PNP epitaxial planar type
UNR2221 Silicon NPN epitaxial planar type
UN2221 Silicon NPN epitaxial planar type
UN2222 Silicon NPN epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR212X(UN212X) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR212X00L 功能描述:TRANS PNP W/RES 20 HFE MINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR212Y 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR212Y(UN212Y) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*