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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR212Y |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | UNR212Y |
UNR212x Series
2
SJH00008CED
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
100 mA, I
B
=
5 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
500
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
500
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
UNR212X/212Y
Output voltage high-level
V
OH
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
f
T
0.2
V
Transition frequency
200
MHz
Input resistance
UNR2121/2124
R
1
30%
2.2
+
30%
k
UNR2122
4.7
UNR2123
10
UNR212X
0.27
UNR212Y
3.1
Resistance ratio
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
UNR2124
0.17
0.22
0.27
UNR212X
0.043
0.054
0.065
UNR212Y
0.53
0.67
0.81
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Common characteristics chart
P
T
T
a
0
50
100
150
200
250
0
40
80
120
160
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR2122 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR2221 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UN2221 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UN2222 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| UN2223 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR212Y(UN212Y) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR2-1410 | 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:Precision Foil Resistors |
| UNR2-14102R5X | 制造商:WILLOW 制造商全稱:Willow Technologies Ltd 功能描述:Highest Stability Near Temperature Independency |
| UNR2-141037OHMS | 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:Precision Foil Resistors |
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