參數(shù)資料
型號(hào)： UNR4222
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, NS-B1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： UNR4222
Transistors with built-in Resistor
UNR4221/4222/4223/4224
(UN4221/4222/4223/4224)
1
Publication date: December 2003
SJH00021BED
Silicon NPN epitaxial planar type
For digital circuits
■
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts
New S type package, allowing supply with the radial taping
■
Resistance by Part Number
(R
1
)
2.2 k
4.7 k
10 k
2.2 k
(R
2
)
2.2 k
4.7 k
10 k
10 k
UNR4221 (UN4221)
UNR4222 (UN4222)
UNR4223 (UN4223)
UNR4224 (UN4224)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit: mm
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
50
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
1.0
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
1.0
Emitter-base
UNR4221
I
EBO
5.0
mA
cutoff current
UNR4222
2.0
(Collector open)
UNR4223/4224
1.0
Forward current
UNR4221
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
100 mA
40
transfer ratio
UNR4222
50
UNR4223/4224
60
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
OH
I
C
=
100 mA, I
B
=
5 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
500
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
500
0.25
V
Output voltage high-level
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
V
Internal Connection
B
R
1
R
2
C
E
1: Emitter
2: Collector
3: Base
NS-B1 Package
4.0
±
0.2
0.75 max.
2.0
±
0.2
0.45
(2.5) (2.5)
0.7
±
0.1
2
3
1
+0.20
0.45
+0.20
7
3
±
0
(
(
1
±
0
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
C
50
V
Collector current
500
mA
Total power dissipation
P
T
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR4223 HEADER, 14 POS, 0.100C, LA
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UNR4223(UN4223) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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