參數(shù)資料
型號： UNR5115(UN5115)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 4/18頁
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代理商： UNR5115(UN5115)
12
Transistors with built-in Resistor
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
Characteristics charts of UNR511F
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
UNR5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
0
– 0.1 – 0.3
6
5
4
3
2
1
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
– 3
–1.5
–10
– 30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
– 4.0
– 3.5
– 3.0
– 2.5
– 2.0
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
– 240
– 200
–160
–120
– 80
– 40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= –1.0mA
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.1mA
– 0.2mA
– 0.3mA
– 0.4mA
– 0.5mA
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
–1
– 3
40
80
120
160
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
– 0.1 – 0.3
6
5
4
3
2
1
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
– 3
– 0.4
–10
– 30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
–1.4
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
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