參數(shù)資料
型號(hào)： UNR5115R
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SC - 70
文件頁(yè)數(shù)： 11/18頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商： UNR5115R
2
Transistors with built-in Resistor
UNR5111/5112/5113/5114/5115/5116/5117/5118/5119/5110/
511D/511E/511F/511H/511L/511M/511N/511T/511V/511Z
I Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = –50V, IE = 0
– 0.1
A
ICEO
VCE = –50V, IB = 0
– 0.5
A
UNR5111
– 0.5
UNR5112/5114/511E/511D/511M/511N/511T
– 0.2
UNR5113
– 0.1
UNR5115/5116/5117/5110
IEBO
VEB = –6V, IC = 0
– 0.01
mA
UNR511F/511H
–1.0
UNR5119
–1.5
UNR5118/511L/511V
–2.0
UNR511Z
– 0.4
Collector to base voltage
VCBO
IC = –10
A, I
E = 0
–50
V
UNR511N/511T/511V/511Z
–50
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = –2mA, IB = 0
–50
V
UNR511N/511T
–50
UNR5111
35
UNR5112/511E
60
UNR5113/5114/511M
80
UNR5115*/5116*/5117*/5110*
160
460
UNR511F/511D/5119/511H
hFE
VCE = –10V, IC = –5mA
30
UNR5118/511L
20
UNR511N/511T
80
400
UNR511V
6
20
UN
R511Z
0
200
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
– 0.25
V
UNR511V
IC = –10mA, IB = –1.5mA
– 0.25
Output voltage high level
VOH
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1k
–4.9
V
Output voltage low level
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1k
– 0.2
UNR5113
VOL
VCC = –5V, VB = –3.5V, RL = 1k
– 0.2
V
UNR511D
VCC = –5V, VB = –10V, RL = 1k
– 0.2
UNR511E
VCC = –5V, VB = –6V, RL = 1k
– 0.2
Transition frequency
fT
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
80
MHz
UNR511Z
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
150
UNR5111/5114/5115
10
UNR5112/5117/511T
22
UNR5113/5110/511D/511E
47
UNR5116/511F/511L/511N/511Z
R1
(–30%)
4.7
(+30%)
k
UNR5118
0.51
UNR5119
1
UNR511H/511M/511V
2.2
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
* hFE rank classification (UNR5115/5116/5117/5110)
Rank
Q
R
S
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR5115S TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
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