參數(shù)資料
型號: UNR5119
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/17頁
文件大?。?/td> 444K
代理商: UNR5119
Transistors with built-in Resistor
UNR511x Series
(UN511x Series)
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: December 2003
SJH00022BED
For digital circuits
Features
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts
S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/
magazine packing
Resistance by Part Number
Marking symbol
6L
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6H
6I
6K
6M
6N
6O
6P
6Q
EI
EW
EY
FC
FE
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
2.2 k
4.7 k
22 k
2.2 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
10 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
UNR5110 (UN5110)
UNR5111 (UN5111)
UNR5112 (UN5112)
UNR5113 (UN5113)
UNR5114 (UN5114)
UNR5115 (UN5115)
UNR5116 (UN5116)
UNR5117 (UN5117)
UNR5118 (UN5118)
UNR5119 (UN5119)
UNR511D (UN511D)
UNR511E (UN511E)
UNR511F (UN511F)
UNR511H (UN511H)
UNR511L (UN511L)
UNR511M (UN511M)
UNR511N (UN511N)
UNR511T (UN511T)
UNR511V (UN511V)
UNR511Z (UN511Z)
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
B
R
1
R
2
C
E
Internal Connection
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
50
50
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
Collector current
I
C
P
T
mA
Total power dissipation
150
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
2
±
0
1.3
±
0.1
0.3
+0.1
2.0
±
0.2
1
±
0
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
0
±
0
0
0
+
0.15
+0.10
5
10
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR511D Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511H Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511L Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511M Silicon PNP epitaxial planar type
UNR511N Silicon PNP epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR5119(UN5119) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR511900L 功能描述:TRANS PNP W/RES 30 HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR5119G0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 30HFE SMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR511D 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type