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參數資料
| 型號： | UNR5210 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 11/17頁 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | UNR5210 |
UNR521x Series
11
SJH00024CED
Characteristics charts of UNR521E
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR521F
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
B
= 1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.50.4 0.3 mA
0.6 mA
0.7 mA
00.9 I
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
10
2
10
3
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
12
2
10
4
8
6
0
240
200
160
120
80
40
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
40
80
120
160
10
10
2
10
3
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN5210 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR5211 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN5211 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR5212 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN5212 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UNR5210(UN5210) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNR521000L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR5210G0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR5210Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
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