參數(shù)資料
型號： UNR5216(UN5216)
英文描述： 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁數(shù)： 12/18頁
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代理商： UNR5216(UN5216)
3
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
s Electrical Characteristics (continued) (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
UNR5211/5212/5213/521L
0.8
1.0
1.2
UNR5214
0.17
0.21
0.25
UNR5218/5219
0.08
0.1
0.12
UNR521D
4.7
UNR521E
2.14
UNR521F/521T
R1/R2
0.47
UNR521K
2.13
UNR521M
0.047
UNR521N
0.1
UNR521V
1.0
UNR521Z
0.21
Resis-
tance
ratio
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UNR5217G0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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