參數(shù)資料
型號： UNR521K(UN521K)
英文描述： 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
文件頁數(shù)： 18/18頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： UNR521K(UN521K)
9
Transistors with built-in Resistor
Characteristics charts of UNR5218
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
Characteristics charts of UNR5219
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
40
80
120
160
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
0.1
0.3
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
1
3
0.4
10
30
100
300
1000
3000
10000
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO=5V
Ta=25C
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO=0.2V
Ta=25C
012
210
48
6
0
240
200
160
120
80
40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB=1.0mA
0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
13
40
80
120
160
10
30
100
300
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE=10V
Ta=75C
25C
– 25C
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UNR521M(UN521M) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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UNR521T(UN521T) 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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