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參數(shù)資料
| 型號： | UNR521K |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 14/17頁 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | UNR521K |
UNR521x Series
14
SJH00024CED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR521N
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
10
1
5
4
3
2
1
1
10
10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
0
0
12
2
10
4
8
6
40
120
80
160
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.9 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
10
2
1
10
1
1
10
10
10
2
10
3
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
10
2
10
3
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
6
5
4
3
2
1
10
10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
O
O
μ
A
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
I
Output current I
O
(mA)
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR9110J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR911DJ | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR911EJ | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR911FJ | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR911HJ | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UNR521L | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| UNR521L(UN521L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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