參數(shù)資料
型號(hào): UNR521V(UN521V)
英文描述: Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述: 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管,電阻,
文件頁數(shù): 12/18頁
文件大?。?/td> 285K
代理商: UNR521V(UN521V)
3
Transistors with built-in Resistor
UNR5211/5212/5213/5214/5215/5216/5217/5218/5219/5210/
521D/521E/521F/521K/521L/521M/521N/521T/521V/521Z
s Electrical Characteristics (continued) (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
UNR5211/5212/5213/521L
0.8
1.0
1.2
UNR5214
0.17
0.21
0.25
UNR5218/5219
0.08
0.1
0.12
UNR521D
4.7
UNR521E
2.14
UNR521F/521T
R1/R2
0.47
UNR521K
2.13
UNR521M
0.047
UNR521N
0.1
UNR521V
1.0
UNR521Z
0.21
Resis-
tance
ratio
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PDF描述
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參數(shù)描述
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UNR521W00L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521WG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR521XSERIES(UN521XSERIES) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UNR521X Series (UN521X Series) - NPN Transistors with built-in Resistor
UNR521Z 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type