參數(shù)資料
型號： UNR611D(UN611D)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大小： 230K
代理商： UNR611D(UN611D)
5
Transistors with built-in Resistor
UNR6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
Characteristics charts of UNR6114
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
– 0.1 – 0.3
6
5
4
3
2
1
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
– 3
– 0.4
–10
– 30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
–1.4
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
– 40
–120
– 80
–160
–140
–100
– 60
– 20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= –1.0mA
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
–1
– 3
100
200
300
400
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
– 0.1 – 0.3
6
5
4
3
2
1
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
– 3
– 0.4
–10
– 30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
–1.4
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
– 0.1
– 0.3
– 0.1 – 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
– 300
–1000
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
相關PDF資料
PDF描述
UNR611E TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
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UNR611F TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611F(UN611F) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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UNR9110J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9110J(UN9110J) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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