參數(shù)資料
型號(hào)： UNR611D
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 71
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大?。?/td> 230K
代理商： UNR611D
1
Transistors with built-in Resistor
UNR6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
(UN6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/6118/6119/
6110/611D/611E/611F/611H/611L)
Silicon PNP epitaxial planer transistor
For digital circuits
I Features
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
G
MT-1 type package, allowing supply with the radial taping.
I Resistance by Part Number
(R1)(R2)
G
UNR6111
10k
10k
G
UNR6112
22k
22k
G
UNR6113
47k
47k
G
UNR6114
10k
47k
G UNR6115
10k
—
G UNR6116
4.7k
—
G UNR6117
22k
—
G UNR6118
0.51k
5.1k
G UNR6119
1k
10k
G UNR6110
47k
—
G UNR611D
47k
10k
G UNR611E
47k
22k
G UNR611F
4.7k
10k
G UNR611H
2.2k
10k
G UNR611L
4.7k
4.7k
I Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Internal Connection
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
–50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
–50
V
Collector current
IC
–100
mA
Total power dissipation
PT
400
mW
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
MT-1 Type Package
6.9
±0.1
1.05
±0.05
2.5
±0.1
3.5
±
0.1
14.5
±
0.5
(1.45)
0.8
0.7
4.0
0.15
0.85
0.8
1.0
0.65 max.
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
2.5
±0.5 2.5±0.5
2.5
±
0.1
123
B
C
R1
R2
E
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR611D(UN611D) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR611E TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611E(UN611E) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR611F TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
UNR611F(UN611F) Composite Device - Transistors with built-in Resistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR723100L 功能描述:TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR9110 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR9110G0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR9110J 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9110J(UN9110J) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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