參數(shù)資料
型號(hào)： UNR611H(UN611H)
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻，
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： UNR611H(UN611H)
12
Transistors with built-in Resistor
UNR6111/6112/6113/6114/6115/6116/6117/
6118/6119/6110/611D/611E/611F/611H/611L
Characteristics charts of UNR611H
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
VIN — IO
Characteristics charts of UNR611L
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
–120
–100
– 80
– 60
– 40
– 20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= – 0.5mA
– 0.3mA
– 0.4mA
– 0.2mA
– 0.1mA
–0.01
–1
– 3
– 0.1
–1
–10
–100
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
– 0.1 – 0.3
240
200
160
120
80
40
–1
– 3
–10
– 30
–100
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
–1
6
5
4
3
2
1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–0.01
– 0.1 – 0.3
– 0.1
–1
–10
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
– 240
– 200
–160
–120
– 80
– 40
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= –1.0mA
– 0.2mA
– 0.4mA
– 0.6mA
– 0.8mA
–0.01
–0.03
–1
– 3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
–1
– 3
240
200
160
120
80
40
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
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PDF描述
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UNR9110J(UN9110J) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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