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參數(shù)資料
| 型號： | UNR6211 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|律師- 71 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | UNR6211 |
2
Transistors with built-in Resistor
UNR6211/6212/6213/6214/6215/6216/6217/6218/
6219/6210/621D/621E/621F/621K/621L
I Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 50V, IE = 0
0.1
A
ICEO
VCE = 50V, IB = 0
0.5
A
UNR6211
0.5
UNR6212/6214/621E/621D
0.2
UNR6213
0.1
UNR6215/6216/6217/6210
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
0.01
mA
UNR621F/621K
1.0
UNR6219
1.5
UNR6218/621L
2.0
Collector to base voltage
VCBO
IC = 10
A, I
E = 0
50
V
Collector to emitter voltage
VCEO
IC = 2mA, IB = 0
50
V
UNR6211
35
UNR6212/621E
60
UNR6213/6214
hFE
VCE = 10V, IC = 5mA
80
UNR6215*/6216*/6217*/6210*
160
460
UNR621F/621D/6219
30
UNR6218/621K/621L
20
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10mA, IB = 0.3mA
0.25
V
Output voltage high level
VOH
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1k
4.9
V
Output voltage low level
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1k
0.2
UNR6213/621K
VOL
VOC = 5V, VB = 3.5V, R1 = 1k
0.2
V
UNR621D
VCC = 5V, VB = 10V, R1 = 1k
0.2
UNR621E
VCC = 5V, VB = 6V, RL = 1k
0.2
Transition frequency
fT
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz
150
MHz
UNR6211/6214/6215/621K
10
UNR6212/6217
22
UNR6213/621D/621E/6210
R1
(–30%)
47
(+30%)
k
UNR6216/621F/621L
4.7
UNR6218
0.51
UNR6219
1
UNR6211/6212/6213/621L
0.8
1.0
1.2
UNR6214
0.17
0.21
0.25
UNR6218/6219
0.08
0.1
0.12
UNR621D
R1/R2
3.7
4.7
5.7
UNR621E
1.7
2.14
2.6
UNR621F
0.37
0.47
0.57
UNR621K
1.7
2.13
2.6
Emitter
cutoff
current
Forward
current
transfer
ratio
Input
resis-
tance
Resis-
tance
ratio
* hFE rank classification (UNR6215/6216/6217/6210)
Rank
Q
R
S
hFE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR6212 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6213 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6214 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6215Q | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
| UNR6215R | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR723100L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 800 HFE MINI PWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9110 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| UNR9110G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9110J | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9110J(UN9110J) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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