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參數(shù)資料
| 型號： | UNR9112J |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 16/19頁 |
| 文件大小： | 476K |
| 代理商： | UNR9112J |
16
UNR911xJ Series
SJH00038BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR911NJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
10
1
10
8
6
4
2
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
0.4
10
10
2
10
3
10
4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
Ta
=
25
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
12
2
10
4
8
6
0
50
150
100
200
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1
10
10
2
10
3
10
2
10
1
10
1
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
300
250
200
150
100
50
–1
–10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
6
5
4
3
2
1
–1
–10
–10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
–1
–10
–10
2
–10
3
–10
4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
–10
2
–10
1
1
10
–10
2
–10
1
1
10
–10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR9113J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9114J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9115J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9116J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9117J | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| UNR9112J(UN9112J) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR9112J0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 60 HFE SSMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9113 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| UNR9113G0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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