參數(shù)資料
型號(hào)： UNR9118J
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/19頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR9118J
11
UNR911xJ Series
SJH00038BED
Characteristics charts of UNR911BJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR911CJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
T
a
=
25
°
C
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
400
V
CE
=
10 V
100
200
300
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
1
10
10
20
30
40
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
2
10
1
1
10
0.4
0.8
1.2
1.6
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
Input voltage V
IN
(V)
10
1
10
2
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
1
10
I
I
Output current I
O
(mA)
T
a
=
25
°
C
0
120
80
40
0
2
4
6
8
10
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
1
10
2
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
40
80
120
160
200
240
V
CE
=
10 V
1
10
10
2
10
3
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR9119J Silicon PNP epitaxial planar type
UNR921NJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921TJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921VJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921KJ Silicon NPN epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR9118J(UN9118J) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
UNR9118J0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 20 HFE SSMINI 3P RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR9119 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
UNR9119G0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 30HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*