參數(shù)資料
型號(hào)： UNR911AJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/19頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911AJ
12
UNR911xJ Series
SJH00038BED
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
Characteristics charts of UNR911DJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
0
10
20
30
40
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
1
10
10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
10
2
0
0.4
0.8
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
10
O
O
Input voltage V
IN
(V)
10
1
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
1
10
I
I
Output current I
O
(mA)
0
0
12
2
10
4
8
6
60
50
40
30
20
10
T
a
=
25C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0. 0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
O
O
μ
A
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
I
I
Output current I
O
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911BJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911CJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR9110 Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911N Silicon PNP epitaxial planar type
UNR9111J Silicon PNP epitaxial planar type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR911AJ0L 功能描述:TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911BG0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911BJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911BJ0L 功能描述:TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242
UNR911CJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
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