參數(shù)資料
型號： UNR911MJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 17/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911MJ
17
UNR911xJ Series
SJH00038BED
Characteristics charts of UNR911TJ
Characteristics charts of UNR911VJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
150
100
50
0
0
5
10
0.9 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.7 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
–10
2
1
–10
1
10
1
–10
2
10
–10
2
–10
3
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
I
C
/
I
B
=
10
C
C
Collector current I
C
(mA)
100
300
200
150
50
250
0
1
1
10
–10
2
–10
3
T
a
=
75
°
C
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
1
5
4
3
2
1
6
10
–10
2
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
–10
2
10
1
–10
1
0.25
–10
2
–10
3
–10
4
0.75
1.25
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
μ
A
Input voltage V
IN
(V)
–10
1
–10
2
1
10
–10
2
–10
1
1
10
–10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
10
8
6
4
2
12
0
12
2
10
4
8
6
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1
10
–10
2
–10
3
–10
2
–10
1
10
1
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
12
10
8
6
4
2
–1
–10
–10
2
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911NJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911TJ Silicon PNP epitaxial planar type
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UNR911XJ Silicon PNP epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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UNR911MJ0L 功能描述:TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR911N 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911NG0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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