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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR911N |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 硅外延平面型進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/19頁(yè) |
| 文件大小： | 476K |
| 代理商： | UNR911N |
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3
UNR911xJ Series
SJH00038BED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Characteristics charts of UNR9110J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
150
0
0
160
40
120
80
125
100
75
50
25
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
0
0
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.90.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0. 0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Emitter-base resistance
UNR911CJ
R
2
30%
47
+
30%
k
Resistance
UNR911MJ
R
1
/R
2
0.047
ratio
UNR911NJ
0.1
UNR9118J/9119J
0.08
0.10
0.12
UNR9114J
0.17
0.21
0.25
UNR911HJ
0.17
0.22
0.27
UNR911TJ
0.47
UNR911FJ
0.37
0.47
0.57
UNR911AJ/911VJ
1.0
UNR9111J/9112J/9113J/911LJ
0.8
1.0
1.2
UNR911EJ
1.70
2.14
2.60
UNR911DJ
3.7
4.7
5.7
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR9111J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9112J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9113J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9114J | Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR9115J | Silicon PNP epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR911NG0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR911NJ | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR911NJ0L | 功能描述:TRANS PNP 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR911TG0L | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000756242 |
| UNR911TJ | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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