參數(shù)資料
型號(hào)： UNR911NJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/19頁(yè)
文件大小： 476K
代理商： UNR911NJ
13
UNR911xJ Series
SJH00038BED
Characteristics charts of UNR911EJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR911FJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0
12
2
10
4
8
6
60
50
40
30
20
10
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
I
I
Output current I
O
(mA)
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
O
O
μ
A
0
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.80.7 mA
0.6 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911TJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911VJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911XJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911AJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
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參數(shù)描述
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UNR911TG0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR911TJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911TJ(UN911TJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UNR911TJ (UN911TJ) - PNP Transistor with built-in Resistor
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