參數(shù)資料
型號： UNR911TJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911TJ
2
UNR911xJ Series
SJH00038BED
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
μ
A
μ
A
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CEO
I
EBO
Emitter-base
UNR9115J/9116J/9117J/911BJ
mA
cutoff current
UNR9110J/9113J/911AJ
(Collector
open)
UNR9112J/9114J/911DJ/
911EJ/911MJ/911NJ/911TJ
UNR9111J
0.5
1.0
1.5
2.0
UNR911FJ/911HJ
UNR9119J
UNR9118J/911CJ/911LJ/911VJ
Forward
UNR911VJ
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
6
20
current
UNR9118J/911LJ
20
transfer
UNR9119J/911DJ/911FJ/911HJ
30
ratio
UNR9111J
35
UNR9112J/911EJ
60
UNR9113J/9114J/911AJ/
911CJ/911MJ
80
UNR911NJ/911TJ
80
400
UNR9110J/9115J/9116J/
9117J/911BJ
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
I
C
=
10 mA, I
B
=
1.5 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
5 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
1 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
UNR911VJ
Output voltage high-level
V
OH
V
OL
4.9
V
Output voltage low-level
0.2
V
UNR9113J/911BJ
UNR911DJ
UNR911EJ
UNR911AJ
Transition frequency
f
T
80
MHz
UNR9113J
150
UNR911AJ
80
UNR911CJ
150
Input
UNR9118J
R
1
30%
0.51
+
30%
k
resistance UNR9119J
1.0
UNR911HJ/911MJ/911VJ
2.2
UNR9116J/911FJ/911LJ/911NJ
4.7
UNR9111J/9114J/9115J
10
UNR9112J/9117J/911TJ
22
UNR9110J/9113J/911DJ/911EJ
47
UNR911AJ/911BJ
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR911VJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911XJ Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911AJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911BJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
UNR911CJ Silicon PNP epitaxial planer transistor
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參數(shù)描述
UNR911TJ(UN911TJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:UNR911TJ (UN911TJ) - PNP Transistor with built-in Resistor
UNR911TJ0L 功能描述:TRANS PNP W/RES 80 HFE SSMINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR911VJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type
UNR911VJ(UN911VJ) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
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