參數資料
型號： UNR911XJ
廠商： Panasonic Corporation
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type
中文描述： 硅外延平面型進步黨
文件頁數： 13/19頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： UNR911XJ
13
UNR911xJ Series
SJH00038BED
Characteristics charts of UNR911EJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR911FJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
0
12
2
10
4
8
6
60
50
40
30
20
10
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
C
I
I
Output current I
O
(mA)
1
1.5
10
10
2
10
3
10
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
C
O
O
μ
A
0
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.80.7 mA
0.6 mA
0.1 mA
0.2 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
40
80
120
160
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
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