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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR9214J |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/19頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 400K |
| 代理商： | UNR9214J |
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3
Transistors with built-in Resistor
UNR921xJ Series
SJH00039BED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Characteristics charts of UNR9210J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Common characteristics chart
P
T
T
a
150
0
0
160
40
120
80
125
100
75
50
25
Ambient temperature T
a
(
°
C)
T
T
0
12
2
10
4
8
6
0
60
50
40
30
20
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.7 0.0.0.4 mA
0.90.8 mA
10
2
10
1
10
1
1
10
10
2
1
10
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
1
100
200
300
400
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Emitter-base resistance
UNR921CJ
R
2
30%
47
+
30%
k
Rasistance
UNR921MJ
R
1
/R
2
0.047
ratio
UNR921NJ
0.1
UNR9218J/9219J
0.08
0.10
0.12
UNR9214J
0.17
0.21
0.25
UNR921TJ
0.47
UNR921FJ
0.37
0.47
0.57
UNR921AJ/921VJ
1.0
UNR9211J/9212J/9213J/921LJ
0.8
1.0
1.2
UNR921KJ
1.70
2.13
2.60
UNR921EJ
1.70
2.14
2.60
UNR921DJ
3.7
4.7
5.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| UNR9214J0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR9215G0L | 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
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