參數(shù)資料
型號： UNR921AJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SS MINI, FP-3
文件頁數(shù)： 11/19頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： UNR921AJ
11
Transistors with built-in Resistor
UNR921xJ Series
SJH00039BED
Characteristics charts of UNR921BJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR921CJ
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
T
a
=
25
°
C
0
120
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
I
B
=
0.5 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
0
100
200
300
400
1
10
10
2
10
3
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
1
10
10
20
30
40
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.4
0.8
1.2
1.6
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
10
1
10
1
O
O
Input voltage V
IN
(V)
10
1
10
2
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
1
10
I
I
Output current I
O
(mA)
T
a
=
25
°
C
0
120
80
40
0
2
4
6
8
10
I
B
=
1.0 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
1
10
2
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
1
0
100
200
300
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR921BJ Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNR921CJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921FJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921M Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNRL110 Silicon PNP epitaxial planer type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR921AJ0L 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921BG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 160HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921BJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNR921BJ0L 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921CG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
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