參數(shù)資料
型號(hào)： UNR921LJ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Composite Device - Transistors with built-in Resistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/19頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： UNR921LJ
9
Transistors with built-in Resistor
UNR921xJ Series
SJH00039BED
Characteristics charts of UNR9218J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
Characteristics charts of UNR9219J
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
V
IN
I
O
0
240
200
160
120
80
40
0
12
2
10
4
8
6
I
B
=
1.0 mA
T
a
=
25
°
C
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.8 0.7 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
40
80
120
160
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
0
10
1
6
5
4
3
2
1
1
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
(
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Input voltage V
IN
(V)
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
1
10
10
2
10
3
10
4
O
O
μ
A
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
10
2
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
I
I
Output current I
O
(mA)
0
240
200
160
120
80
40
0
12
2
10
4
8
6
T
a
=
25
°
C
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.5 mA
I
B
=
1.0 mA
0.8 mA
0.7 0.6 mA
0.9 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
2
10
1
1
10
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
/
I
B
=
10
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0
40
80
120
160
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
T
a
=
75
°
C
25
°
C
F
F
Collector current I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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UNR921MJ Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UN921MJ Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UN921TJ Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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參數(shù)描述
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