參數(shù)資料
型號(hào)： UNR921N
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SS-MINI PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： UNR921N
2
UNR921xJ Series
Transistors with built-in Resistor
SJH00039BED
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
V
CEO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open)
50
V
Collector-base cut-off current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
μ
A
Collector-emitter cut-off current (Base open)
I
CEO
I
EBO
0.5
Emitter-
base
UNR9210J/9215J/
9216J/9217J/921BJ
0.01
mA
cut-off
current
(Collector
921EJ/921MJ/921NJ/921TJ
UNR9213J/921AJ
0.1
UNR9212J/9214J/921DJ/
0.2
open)
UNR9211J
0.5
UNR921FJ/921KJ
1.0
UNR9219J
1.5
UNR9218J/921CJ/921LJ/921VJ
2.0
Forward
UNR921VJ
h
FE
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
6
20
current
UNR9218J/921KJ/921LJ
20
transfer
UNR9219J/921DJ/921FJ
30
ratio
UNR9211J
35
UNR9212J/921EJ
60
UNR9213J/9214J/921AJ/
921CJ/921MJ
80
UNR921NJ/921TJ
80
400
UNR9210J/9215J/9216J/
9217J/921BJ
160
460
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
V
OH
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
5 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
Output voltage high-level
4.9
V
Output voltage low-level
V
OL
0.2
V
UNR9213J/921BJ/921KJ
UNR921DJ
UNR921EJ
UNR921AJ
Transition frequency
f
T
150
MHz
Input
UNR9218J
R
1
30%
0.51
+
30%
k
resistance UNR9219J
1
UNR921MJ/921VJ
2.2
UNR9216J/921FJ/921LJ/921NJ
4.7
UNR9211J/9214J/9215J/921KJ
10
UNR9212J/9217J/921TJ
22
UNR9210J/9213J/921DJ/921EJ
47
UNR921AJ/921BJ
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UNR921AJ Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNR921BJ Silicon NPN epitaxial planer transistor
UNR921CJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921FJ Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921M Silicon NPN epitaxial planer transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UNR921NG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921NJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
UNR921NJ0L 功能描述:TRANS NPN 50V 100MA W/RES SSMINI RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921TG0L 功能描述:TRANS NPN W/RES 80HFE SSMINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
UNR921TJ 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type
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